BP87526H 是一款高机能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激驱动芯片
。内置 800V高压 MOSFET，集成高压启动电路、高压辅助供电电路，合用于高效能、幼体积、高靠得住性、宽输出电压领域的 35~55 W 反激变换器利用
。 BP87526H 支持自适应COT节造方式，接管和解调配对的副边节造器发送到原边的脉冲信号，同时检测原边漏极电压谷底节造原边功率管的开明，实现较高的效能
。选取AdaptiveCOT节造方式和原副边磁耦通讯，大幅度降低了节造电路的静态工作电流，使得系统待机功耗幼于30 mW，能够满足待机功耗要求较高的利用场所
。辅助供电引脚耐压可达到150V，能满足宽输出电压领域
。

内置 800V高压 MOSFET

集成高压启动

150V辅助供电耐压，满足宽输出电压领域

自适应 COT节造，急剧的动态响应

磁耦通讯实现超低待机功耗，<30 mW

QR 谷底开明，优化效能和 EMI个性

最高可达 140 kHz 开关频率

• USB PD、QC充电器
• 可编程 AC/DC 充电器

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